W80钨铜板,电极W80钨铜棒性能介绍详细介绍

正铭主要供应W80钨铜,W50钨铜,W60钨铜,W70钨铜,W90钨铜,W85钨铜,W75钨铜,LC2500钨铜,CLASS12电极钨铜,以上备有大量现货,专车服务,物流上门,还附带SGS证明,提供铬锆铜原厂材质证明及欧盟环保报告

钨铜标准板料规格表（现货库存）:100*100 (其它尺寸需预订)(单位:mm)
厚度 3 4 5 6 8 10 15 20 25 30 35 40 45 50
钨铜标准圆棒规格表:长度100-200mm(其它尺寸需预订)(单位:mm)
外径Φ 3 4 5 6 8 10 12 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60

产品名称 符号 铜% 银 杂质 钨 密度g/cm3 电导IACS% 硬度HB≥ 抗弯强度
铜钨50 CuW50 50±2 0.5 余量 11.85 54115
铜钨55 CuW55 45±2 0.5 余量 12.3 49125
铜钨60 CuW60 40±2 0.5 余量 12.75 47140
铜钨65 CuW65 35±2 0.5 余量 13.3 44 155
铜钨70 CuW70 30±2 0.5 余量 13.8 42175 790
铜钨75 CuW75 25±2 0.5 余量 14.5 38195 885
铜钨80 CuW80 20±2 0.5 余量 15.15 34220 980
铜钨85 CuW85 15±2 0.5 余量 15.9 30240 1080
铜钨90 CuW90 10±2 0.5 余量 16.75 27260

钨是理论上的金属电极材料。它的强度,密度,硬度都很高,熔点接近3400℃,因此在电火花和焊接加工过程中,钨电极实际损耗很小,但是纯钨作电极有两个困难：1.极难加工2.价格昂贵,所以利用纯铜的可塑性,高导电等优点,制成复合材料,就成了电极中的珍品--钨铜电极。我司钨铜选用精细高纯钨粉,高纯铜粉,经静压成型,高温烧结,溶渗铜的***工艺精制而成。
钨铜是利用高纯钨粉优异的金属特性和高纯紫铜粉的可塑性,高导电性等优点,经静压成型,高温烧结,溶渗铜的工艺精制而成的复合材料。断弧性能好,导电导热好,热膨胀小,高温不软化,高强度,高密度,高硬度。
钨铜电极用途：铜和钨的合金制造高压开关的出头,铜的导电性能好,钨的熔点高。所以用这两种材料做触头。消费客户应该是大的工业企业和电厂之类
钨铜特性:铜钨合金综合铜和钨的优点,高强度/高比重/耐高温/耐电弧烧蚀/导电电热性能好/加工性能好,采用高品质钨粉及无氧铜粉,应用等静压成型(高温烧结-渗铜,***产品纯度及准确配比,组织细密,性能优异. 断弧性能好,导电性好,导热性好,热膨胀小.

钨铜应用:1.电极材料：应用于高硬度材料及溥片电极放电加工,电加工产品表面光洁度高,精度高,损耗低,有效节约.
2.触点材料: 高中压开关或断路器的弧触头和真空触头,线路板焊接和电器接触点。3.焊接材料:埋弧焊机,气体保护焊机焊咀,无线电电阻厂(生产炭膜电阻,金属镀膜电阻)电阻对焊机碰焊材料(铜钨合金焊接圆盘)4.导卫材料:各种线材轧钢,用于导向保护作用材料

产品名称 牌号 密度g/cm3 导电率（IACS) 硬度（HB≥） 软化温度（≥）

一,耐高温材料：钨铜合金在航天航空中用作发动机的喷管,燃气舵,空气舵,鼻锥,主要要求是要求耐高温(3000K~5000K),耐高温气流冲刷能力,主要利用铜在高温下挥发形成的发汗制冷作用(铜熔点1083℃),降低钨铜表面温度,***在高温***条件下使用。　　
二,高压开关用电工合金：钨铜合金在高压开关128kV SF6断路器WCu/CuCr中,以及高压真空负荷开关(12kV40.5KV 1000A),避雷器中得到广泛应用,高压真空开关体积小,易于维护,使用范围广,能在潮湿,易燃易爆以及腐蚀的环境中使用。主要性能要求是耐电弧烧蚀,抗熔焊,截止电流小,含气量少,热电子发射能力低等。除常规宏观性能要求外,还要求气孔率,微观组织性能,故要采取特殊工艺,需真空脱气,真空熔渗等复杂工艺。 　　
三,电加工电极：电火花加工电极早期采用铜或石墨电极,便宜但不耐烧蚀,现在基本上已被钨铜电极顶替。钨铜电极的优点是耐高温,高温强度高,耐电弧烧蚀,并且导电导热性能好,散热快。应用集中在电火花电极,电阻焊电极和高压放电管电极。电加工电极特点是品种规格繁多,批量小而总量多。作为电加工电极的钨铜材料应具有尽可能高的致密度和组织的均匀性,特别是细长的棒状,管状以及异型电极。 　　
四,微电子材料：钨铜电子封装和热沉材料,既具有钨的低膨胀特性,又具有铜的高导热特性,其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变,因而给钨铜提供了更广的应用范围。由于钨铜材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性,同时又与硅片,砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数,故在半导体材料中得到广泛的应用。适用于与大功率器件封装材料,热沉材料,散热元件,陶瓷以及砷化镓基座等。

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